6月16日消息，据媒体报道，近日SK海力士宣布，其375层第10代3D NAND闪存已完成生产验证，计划年底在清州M15工厂启动量产。
这款产品最初规划为400层，因工艺难度有所下调，但真正的突破在于：字线金属栅极首次用钼取代了沿用十余年的钨。
钼并非首次登上半导体舞台。早在2024年4月，三星量产的286层产品中就已率先引入钼，其第十代400层以上产品定于2026年下半年面世。美光则在NAND与DRAM双线布局。
国金证券研报指出，全球存储巨头不约而同的材料转向，释放出清晰信号：钼正从边缘辅料逆袭为半导体核心战略材料，其价格有望受益于高端制造与能化需求的共振。
钼（Molybdenum），原子序数42，熔点2622℃，是一种银白色难熔金属，兼具高强度、高导热、耐腐蚀和良好导电性。全球约80%的钼用于钢铁冶金，被誉为钢铁的“维生素”——工程机械、油气管道、汽车零部件均离不开含钼合金钢。化工领域的加氢脱硫催化剂以及军工航天的高温合金也是传统需求大户。
在半导体行业，钼长期扮演“配角”：溅射靶材、散热基板，用量小、关注度低。随着ALD原子层沉积技术成熟及钼前驱体商业化，钼开始切入逻辑芯片接触孔、先进封装TSV等场景。
而3D NAND突破300层后，传统钨材料触及物理极限，钼一跃成为字线金属栅极的首选方案，正式跻身核心战略材料。
中信证券近期判断，在基建落地与新能源金属需求分化的背景下，钼、钨等供给刚性强、下游确定性高的品种，价格中枢有望温和上移。
全球约70%的钼并非来自独立矿山，而是铜矿的伴生产品。一吨铜矿石中仅能提炼约0.2公斤钼。这意味着钼的产出规模完全依附于铜矿的开采节奏：铜矿不开采，钼就没有；铜矿扩产，钼才能略增。
即便下游需求爆发，也几乎无人会为这点伴生钼专门开矿。而一座独立钼矿从立项到投产，周期至少需要8年。
根据美国地质调查局2026年发布的《矿产品概要》（MCS 2026），截至2025年末，全球钼资源探明储量约1700万吨金属量。
中国以780万吨、占比45.88%高居榜首，美国（350万吨，20.59%）和智利（260万吨，15.29%）分列其后。中国同时也是全球最大的钼生产国，2025年钼矿总产量约26万吨，中国产量占全球37.31%。
然而，中国出口的钼产品多以工业级钼铁等基础原料为主，赚取资源加工费。经过深度提纯制成的5N级半导体靶材，长期被默克、液化空气、英特格等海外巨头垄断。
核心障碍不在于技术完全做不出来，而在于半导体行业的供应链认证壁垒：一种新材料进入头部晶圆厂供应体系，需经历12个月样品测试和12个月小批量试产，整体认证周期长达两年。等国内企业走完流程，高端产能早已被海外合作方锁定。
从产业链价值分布看：上游采选环节（代表企业：金钼股份、洛阳钼业、自由港等）毛利率约10%~20%，受价格周期影响较大；中游基础冶炼（钼铁、氧化钼）毛利率约15%~25%，靠规模效应赚钱；而高端深加工（高纯钼粉、5N靶材）毛利率可达30%~60%，是真正的价值增长点。
为什么说这是难得的机会？因为不同于传统制程追赶中“一步慢、步步慢”的代差壁垒，钼材料属于一个全新的技术赛道。在高端钼靶材、钼前驱体、ALD工艺等领域，国内外企业的研发和量产节奏基本同步，不存在难以逾越的绝对技术代差。
与此同时，中国拥有全球第一的钼资源储量和成熟的基础钼产业集群，这是任何海外对手都不具备的天然供应链优势。
剩下的就是攻坚几个“卡脖子”环节：6N~7N超高纯钼提纯、高端钼前驱体的稳定合成、ALD设备在钼工艺上的验证和适配。如果国内企业能在这几个方向上打开局面，就有望从“卖原料”转向“卖标准”，真正掌握产业链的核心话语权。
行业分析中有一个反复被提及的观点：坐拥资源不等于掌握行业话语权，核心竞争力始终掌握在拥有先进技术与行业标准的一方。高端钼靶材认证周期长达两年，等风来了再临时抱佛脚，注定错失机会。国产替代从来不是一场短跑冲刺，而是一场需要提前布局、长期投入的马拉松。
目前，金钼股份作为亚洲最大的钼业公司，保有钼金属量约150万吨；洛阳钼业是国内最大的钼生产商之一，拥有栾川三道庄等优质矿山；国城矿业在内蒙大苏计矿区的钼金属量达14.48万吨，品位0.117%，属于国内高品位钼矿。这些企业在产业链上游占据主导地位，但中游高端深加工环节仍待突破。
钼价虽被多家机构看好，但高位运行下风险不容忽视。宏观层面，全球经济动能偏弱，若钢铁、化工等下游需求走弱，钼价将承压。市场层面，钼精矿价格自年初已上涨约30%，近期出现弱势震荡，钢招压价、成品承压，产业链博弈加剧。
供给层面，若沙坪沟等大型钼矿超预期投产，或海外产能提前释放，可能打破供需紧平衡。此外，地缘政治扰动供应链、钌等替代材料的技术突破，以及环保政策趋严等，均是潜在变量。
