6月18日消息，据媒体报道，三星电子在2026年度IEEE VLSI研讨会上，首次公开展示了全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。
与DRAM相比，MRAM在运行速度、使用寿命和量产可行性方面均具显著优势。
据悉，MRAM功耗远低于传统DRAM，更重要的是具备非易失特性——断电后数据不会丢失。
此次展出的5nm MRAM支持-40℃至+150℃的宽工作温度范围，满足AEC-Q100车规标准，三星正按计划稳步推进，目标于2027年实现量产。
今年早些时候，三星已在另一学术会议上展示过8nm MRAM，基于该制程的边缘AI芯片也于今年5月完成流片。从8nm到5nm的快速迭代，显示了三星在新型存储技术领域持续加速的研发节奏。
文章来源：
我爱百科网
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至23467321@qq.com举报，一经查实，本站将立刻删除;如已特别标注为本站原创文章的，转载时请以链接形式注明文章出处，谢谢！
