7月31日消息,据媒体报道,高通在FY2026 Q3财报电话会议上披露了多项关键进展。
其ASIC芯片定制业务已从两家全球超大规模企业获得项目,目前两个项目均已启动晶圆生产,预计将从2026年12月当季开始贡献收入。
与此同时,高通首代HBC(高带宽计算)架构芯片已完成流片,为2027年年中的正式推出奠定基础。该HBC堆栈底部为近内存加速器单元,上层则通过TSV(硅通孔)技术堆叠LPDDR DRAM Die,以实现高带宽与低延迟。
针对芯片涨价问题,高通总裁兼首席执行官克里斯蒂亚诺·安蒙(Cristiano Amon)表示:“即使是两位数的价格上涨,也仅是输入成本与晶圆成本上涨的转嫁。若与内存物料清单(BOM)的量级相比,这一涨幅其实很小。”
他同时指出,当前半导体全供应链正以100%产能运行,晶圆制造、封装、测试及测试设备等各环节均出现短缺与涨价,而高通凭借充裕的库存和跨节点产能额度,形成了有利的应对优势。
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